MT41K64M16TW-107 AUT:J vs K4B4G1646E-BYK000 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K64M16TW-107 AUT:J por Micron Technology y K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K64M16TW-107 AUT:J | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,85 | $0,56 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 1 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 64M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | 1.25 ns |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | AUT (automotive) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s (DDR3L-1866) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray (T/R per listing) | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Características | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |